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本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法，第一衬底的正面形成有包覆层，包覆层中形成有氮化硅光波导，第二衬底的正面形成有锗外延层，第一衬底和第二衬底的正面键合之后，从第二衬底的背面进行减薄，以暴露锗外延层，而后在锗外延层上形成光电探测器，从而...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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