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肖特基二极管封装结构及其制备方法技术
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文档序号:26345419
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本申请涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。一种肖特基二极管封装结构,包括:第一结构,该第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极,并且包括:第一金属层,位于第一金属层上的重掺杂层,位于重掺杂层上的轻掺杂层,位于轻掺杂层上的第二金属层以及包...
该专利属于同方威视技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过同方威视技术股份有限公司授权不得商用。
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