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本发明公开一种半导体结构的制备方法及其制备系统，该制备方法包括提供一具有第一区域和第二区域的半导体衬底；于该半导体衬底上形成栅极绝缘材料层，该栅极绝缘材料层包括分别覆盖第一区域和第二区域表面的第一栅极绝缘材料层和第二栅极绝缘材料层；于该栅极...
该专利属于南京晶驱集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶驱集成电路有限公司授权不得商用。

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