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本发明提供了一种超结器件及其制造方法，通过使过渡区和核心区交界处的至少顶部部分厚度的第二导电类型柱的线宽相对减小，来降低过渡区内的峰值电场强度，提高过渡区耐压，防止在过渡区首先发生雪崩击穿，并从过渡区开始向着核心区的方向逐步提高核心区中部分...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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