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本发明公开了一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器，包括ｐ型衬底，在ｐ型衬底的底部设有孔，在ｐ型衬底的上表面设有ｎ型硅，在ｎ型硅上注有两个重掺杂的ｎ型接触区，在两个ｎ型接触区之间设有ｎ型沟道且两个ｎ型接触区通过ｎ型沟道相连，在ｎ型接触区和...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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