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抗辐射电场微传感器制造技术

技术编号:2634311 阅读:193 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器,包括p型衬底,在p型衬底的底部设有孔,在p型衬底的上表面设有n型硅,在n型硅上注有两个重掺杂的n型接触区,在两个n型接触区之间设有n型沟道且两个n型接触区通过n型沟道相连,在n型接触区和n型沟道上设有SiO↓[2]层,在重掺杂的n型接触区上设有金属引线,本发明专利技术具有利用掺杂半导体中电荷的漂移原理静态地感应电场,可靠性较高;由于衬底结构被掏空,形成了p型衬底的底部的孔,辐射到结构内的离子无法到达重掺杂的n型接触区,因此实现了结构的抗辐射等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于采集电场信号的微型电场传感器,尤其涉及一种抗辐射电场微传感器
技术介绍
现有的电场微传感器的感应原理主要是动态感应的原理,即使用谐振结构交替地阻挡感应电场的导体,从而产生感应电流。这种动态感应的微电场传感器的主要缺陷是(1)由于微谐振结构对工艺线要求较高,并且活动结构的封装较困难,因此使用这种结构的微电场传感器其可靠性较差。(2)采用动态感应电场的原理使得其分辨率不高(目前报道的最高分辨率为630V/m)。
技术实现思路
本专利技术提供一种可靠性高且抗辐射的抗辐射电场微传感器。本专利技术采用如下技术方案一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器,包括p型衬底,在p型衬底的底部设有孔,在p型衬底的上表面设有n型硅,在n型硅上注有两个重掺杂的n型接触区,在两个n型接触区之间设有n型沟道且两个n型接触区通过n型沟道相连,在n型接触区和n型沟道上设有SiO2层,在重掺杂的n型接触区上设有金属引线。与现有技术相比,本专利技术具有如下优点(1)本专利技术利用掺杂半导体中电荷的漂移原理(正电荷沿电场方向运动,负电荷逆电场方向运动),静态地感应电场,当有外电场入射电场微传感器的n型沟道时,沟道电流会随入射电场的增大而增大,从而提高了本专利技术的可靠性。(2)由于衬底结构被掏空,形成了p型衬底1的底部的孔,辐射到结构内的离子无法到达重掺杂的n型接触区,因此实现了结构的抗辐射。附图说明图1是本专利技术的主视图。图2是本专利技术的俯视图。具体实施例方式一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器,包括p型衬底1,在p型衬底1的底部设有孔6,在p型衬底1的上表面设有(0.1μm左右)n型硅2,在n型硅2上注有两个重掺杂的n型接触区3,在两个n型接触区3之间设有n型沟道7且两个n型接触区3通过n型沟道7相连,在n型接触区3和n型沟道7上设有(50nm左右)SiO2层4,在重掺杂的n型接触区3上设有金属引线5。本专利技术的两个n型重掺杂的接触区加上电压后,当有外界电场入射电场微传感器的n型沟道时,沟道中的载流子(电子)会相应的增加,从而使沟道电流增大,即外界的电场引起了沟道电流的变化。使用时,先利用标准电场标定此电场微传感器的沟道电流。测量电场时,则通过测量微传感器的沟道电流,对照标定值即可得到入射电场的强度。本专利技术采用如下工艺来制备a在p型衬底Si上生长底氧,形成表面SiO2层;b离子注入沟道,形成n型沟道;c离子注入接触区,形成接触区;d光刻引线孔,淀积金属并刻蚀,形成金属引线。e将表面结构保护;f利用体硅刻蚀的自停止,将沟道以下的衬底掏空;g释放结构。权利要求1.一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器,包括p型衬底(1),其特征在于在p型衬底(1)的底部设有孔(6),在p型衬底(1)的上表面设有n型硅(2),在n型硅(2)上注有两个重掺杂的n型接触区(3),在两个n型接触区(3)之间设有n型沟道(7)且两个n型接触区(3)通过n型沟道(7)相连,在n型接触区(3)和n型沟道(7)上设有SiO2层(4),在重掺杂的n型接触区(3)上设有金属引线(5)。全文摘要本专利技术公开了一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器,包括p型衬底,在p型衬底的底部设有孔,在p型衬底的上表面设有n型硅,在n型硅上注有两个重掺杂的n型接触区,在两个n型接触区之间设有n型沟道且两个n型接触区通过n型沟道相连,在n型接触区和n型沟道上设有SiO文档编号G01R29/12GK1693911SQ20051004028公开日2005年11月9日 申请日期2005年5月27日 优先权日2005年5月27日专利技术者黄庆安, 王立峰, 秦明 申请人:东南大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器,包括p型衬底(1),其特征在于在p型衬底(1)的底部设有孔(6),在p型衬底(1)的上表面设有n型硅(2),在n型硅(2)上注有两个重掺杂的n型接触区(3),在两个n型接触区(3)之间设有n型沟道(7)且两个n型接触区(3)通过n型沟道(7)相连,在n型接触区(3)和n型沟道(7)上设有SiO↓[2]层(4),在重掺杂的n型接触区(3)上设有金属引线(5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄庆安王立峰秦明
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]

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