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本公开提供了一种磁场传感器，应用于磁传感器技术领域，所述磁场传感器的衬底上沉积单层铁磁层，所述铁磁层内部发生自旋积累，以与所述铁磁层的磁矩相互作用产生单向磁电阻；所述磁场传感器为霍尔棒结构，利用所述霍尔棒结构测量所述单向磁电阻。本申请还公开...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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