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本发明涉及一种金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列。所述制备方法包括以下步骤：在衬底表面上旋涂压印胶；将纳米阵列压印在压印胶上；将衬底倒置使其具压印胶的一面与硅基底结合，以在压印胶和硅基底之间形成纳米级的微通道阵列；通过毛细作...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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