金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列技术

本发明专利技术涉及一种金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列。所述制备方法包括以下步骤：在衬底表面上旋涂压印胶；将纳米阵列压印在压印胶上；将衬底倒置使其具压印胶的一面与硅基底结合，以在压印胶和硅基底之间形成纳米级的微通道阵列；通过毛细作用使金属盐溶液流入至微通道阵列中，并在微通道阵列中进行自组装，从而形成纳米线阵列；将微通道阵列加热以使微通道阵列中的液体挥发，从而定型；将衬底及其压印胶从硅基底揭除以在硅基底上获得金属盐纳米线阵列；以及对金属盐纳米线阵列进行加热使其热分解，以在硅基底上获得金属氧化物纳米线阵列。该制备方法成本低，制备得到的阵列整齐、精度高，产率高。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列
本专利技术涉及纳米结构制备
，尤其涉及一种金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列。
技术介绍
基于一维纳米阵列的金属氧化物传感器可以通过纳米结构作为敏感单元发生对待测量的响应，由于纳米结构往往表面积与体积之比极大，体积小以及不同于宏观物质的特殊性能，因此器件往往具有可便携、功耗低和灵敏度高等特点。近年来纳米科技领域发展迅速，各式各样基于纳米结构材料的传感器在国防民生，生物医疗，化工生产等方面应用的越来越广泛。如何进行纳米结构材料的大量可重复的制备是该类传感器制造的关键所在。制备纳米结构材料的一种现有技术是化学气相沉积CVD法。文献“利用简单化学气相沉积合理合成p型氧化锌纳米线阵列”(RationalSynthesisofp-TypeZincOxideNanowireArraysUsingSimpleChemicalVaporDeposition，NanoLetters7(2),pp.323-328)是一种典型的基于化学气相沉积CVD法来制备纳米结构的方法，其公开了使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA、在衬底表面上旋涂压印胶；/nB、将具有纳米阵列的模板压印在所述衬底的所述压印胶上，以使所述纳米阵列转印至所述压印胶上；/nC、将转印有纳米阵列的衬底倒置使其具所述压印胶的一面与硅基底结合，以在所述压印胶和所述硅基底之间形成纳米级的微通道阵列；/nD、将金属盐溶液滴至所述微通道阵列的一端，以使所述金属盐溶液受到所述微通道阵列的毛细力的作用下，流入至所述微通道阵列中，并在所述微通道阵列中进行自组装，从而形成纳米线阵列；/nE、将所述微通道阵列加热以使所述微通道阵列中的液体挥发，从而使所述纳米线阵列定型；/nF、将所述衬底及其...

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、在衬底表面上旋涂压印胶；
B、将具有纳米阵列的模板压印在所述衬底的所述压印胶上，以使所述纳米阵列转印至所述压印胶上；
C、将转印有纳米阵列的衬底倒置使其具所述压印胶的一面与硅基底结合，以在所述压印胶和所述硅基底之间形成纳米级的微通道阵列；
D、将金属盐溶液滴至所述微通道阵列的一端，以使所述金属盐溶液受到所述微通道阵列的毛细力的作用下，流入至所述微通道阵列中，并在所述微通道阵列中进行自组装，从而形成纳米线阵列；
E、将所述微通道阵列加热以使所述微通道阵列中的液体挥发，从而使所述纳米线阵列定型；
F、将所述衬底及其压印胶从所述硅基底揭除以在所述硅基底上获得金属盐纳米线阵列；以及
G、对所述金属盐纳米线阵列进行加热，使所述金属盐纳米线阵列热分解，以在所述硅基底上获得金属氧化物纳米线阵列。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤C在将所述衬底与所述硅基底结合之前还包括：
将所述硅基底进行等离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：段学欣，刘宇轩，方烨，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12