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本实用新型公开了一种GaN基射频器件。所述器件包括DFN框架，所述DFN框架包括基岛、引脚栅极、引脚漏极和引脚源极，在电极方向上，引脚漏极位于基岛正面的左上方，引脚源极位于基岛正面的左下方，引脚栅极位于右下方，源极和栅极在同一水平线上；所述...该专利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学授权不得商用。