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本发明的目的在于，提供能够抑制网纹的半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体。本发明的半导体光器件的制造方法包括：在InP生长用基板上形成蚀刻阻挡层的工序；以及在前述蚀刻阻挡层上形成半导体层叠体的工序，所述半导体层叠体层叠有多层至少包含...
该专利属于同和电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过同和电子科技有限公司授权不得商用。

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