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一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，包括：(1)在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层；(2)生长InGaN/GaN多量子阱有源区，每个InGaN阱层的...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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