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本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层，衬底下方设置有入射光窗和N电极，N电极对称分布在入射光窗周围；衬底上方依次设置缓冲层、吸收层、渐变层、电...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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