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本发明公开了一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au/Pt背电极、n掺杂Si基区、石墨烯层、银纳米颗粒阵列、n掺杂InGaP背反射层，n掺杂GaAs基区...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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