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本发明涉及一种具有浮空电极的屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术中转移电容较大、击穿电压较小的问题。一种具有浮空电极的屏蔽栅功率MOSFET器件，包括多个周期性排列的原胞，各所述原胞包括屏蔽电极...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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