温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种低压下提升读写速度和稳定性的SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明是12管的SRAM存储单元电路，利用第三NMOS管打断整个反馈环使得第二PMOS管和第二NMOS管容易写入电压，当进行写操作时，第一写字线拉为高电平，第二写字...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。