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一种同步动态随机存取存储器（“ＳＤＲＡＭ”）装置包含将来自数据总线的数据耦合到ＤＲＡＭ阵列的管线写入数据路径，和将来自所述阵列的读取数据耦合到所述数据总线的管线读取数据路径。所述ＳＤＲＡＭ装置还包含旁路路径，其允许所述写入数据路径中的写入数...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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