温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法，其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步骤：1)改性溶液制备：将粒径为20～20000nm的α‑氮化硅粉末与分散剂加入至溶剂中搅拌均匀，得到α‑氮化硅粉末含量为0.003～0.02g/...
该专利属于江苏富乐德半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏富乐德半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。