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本发明涉及一种光敏晶体管，其具有：作为集电极层的第一导电类型的半导体衬底（10）；位于衬底上方的第一导电类型的低掺杂层（11），该层具有不同厚度的区域；位于低掺杂层（11）的至少部分区域上方的第二导电类型的半导体基极层（12）；以及位于基极...
该专利属于威世半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过威世半导体有限公司授权不得商用。

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