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本发明提供了一种双有源区激光器芯片及制备方法，其中，双有源激光器芯片包括：依次设置的衬底、下有源区和上有源区；上有源区中包括上有源区量子阱；下有源区中包括下有源区量子阱；上有源区量子阱与下有源区量子阱的材料为In...该专利属于苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司授权不得商用。