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本发明涉及一种ＭＥＭＳ压阻式伺服加速度传感器。包括三片硅片，三片硅片组成上硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构，上下两层硅帽上均设反馈电极，中间硅片上设梁式结构，梁上设压敏电阻，组成惠斯登电桥来检测加速度信号，信号调制电路将电桥产生的输出电压...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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