MEMS压阻式伺服加速度传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种ＭＥＭＳ压阻式伺服加速度传感器。包括三片硅片，三片硅片组成上硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构，上下两层硅帽上均设反馈电极，中间硅片上设梁式结构，梁上设压敏电阻，组成惠斯登电桥来检测加速度信号，信号调制电路将电桥产生的输出电压变换成反馈电压作用于传感器的静电力反馈极板上形成闭环伺服检测。以及制备这种传感器的方法。降低了电路难度，在不需要高精度集成电路工艺的情况下实现了加速度传感器的伺服控制，提高了检测精度。所采用的三明治结构大大增强了传感器的抗冲击能力，扩大了该传感器的适用范围。可广泛应用于ＭＥＭＳ技术领域。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种MEMS(微电子机械系统)器件，尤其涉及一种MEMS压阻式伺服加速度传感器。MEMS加速度传感器是微电子机械系统中较早开发出来的的产品之一。按原理可分为压阻式、电容式、压电式等几种，有关MEMS加速度传感器的工作机理和加工方法有很多的实验研究。参见A MONOLITHIC SILICONACCELEROMETER WITH INTERGRAL AIR DAMPING AND OVERRANGEPROTECTION，Phillip W.Barth，NovaSensor；A SIMPLE HIGH PERFORMANCEPIEZORESISTIVE ACCELEROMETER，James T.Suminto。然而由于加速度传感器测量的是动态信号，受使用环境的影响较大，导致加速度传感器的测量精度较低，通常精度范围在10％-1％之间，极大的限制了加速度传感器的应用，也使MEMS具有的体积小、重量轻、功能丰富以及批量生产成本低等优点没有得到真正的发挥。直到九十年代中后期ADI公司专利技术了ADXL系列MEMS电容式伺服加速度传感器，才真正使MEMS加速度传感器开始了批量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＥＭＳ压阻式伺服加速度传感器，包括三片硅片，其特征在于三片硅片组成硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构，上下两层硅帽上均设反馈电极，中间硅片上设梁式结构，梁上设压敏电阻，组成惠斯登电桥检测加速度信号，信号调制电路将电桥产生的输出电压变换成反馈电压作用于传感器的静电力反馈极板上形成闭环伺服检测。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张威，张大成，刘蓓，李婷，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]