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本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法，光电探测器包括金刚石衬底、金属反射层、有源层和电极，金属反射层作为探测器的N型电极；制作方法包括：在InP衬底上生长外延层；将临时载片与InP片键合；去除InP衬底；在N‑InP次集结层上蒸...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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