温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法，包括：衬底，衬底内形成有自对准栅极沟槽；自对准栅堆叠结构，包括栅介质层、金属阻挡层以及栅极金属，其中，所述栅介质层覆盖所述自对准栅极沟槽的表面并与所述衬底的上表面平齐，所述栅极金属填...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。