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本申请公开了一种半导体结构及制造方法，该半导体结构包括：衬底，所述衬底上具有沟槽；位于所述沟槽壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的第一栅极；位于所述第一栅极上的第二栅极，其中第二栅极宽度小于第一栅极；隔离层，位于所述沟槽的上部，并至少填充至第...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。