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栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法技术
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文档序号:26261623
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栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法,涉及微电子技术和半导体技术,本发明包括下述步骤:1)施加第一栅电压,完成对沟道半导体中载流子的抽取,2)施加与第一栅电压相反极性的第二栅电压,并通过控制第二栅电压的幅度,控制注入载流子的数量,从而实...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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