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本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲层；在衬底上定义核心区和字线连接区，在核心区的牺牲层上形成堆叠层和垂直所述堆叠层的沟道结构，其中沟道结构具有存储器层和被存储器层围绕的导电部，导电部到达所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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