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制造硅传感器的方法以及硅传感器技术
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文档序号:2626086
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本发明涉及一种制造硅传感器结构的方法以及一种硅传感器。根据该方法,通过在单晶硅薄片(10)内蚀刻开口来形成至少一个弹簧元件轮廓(7)和至少一个与弹簧元件结构(7)连接的测震质量(8)的步骤。根据本发明,延伸通过该硅薄片深度的开口和沟槽(8)...
该专利属于VTI技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过VTI技术有限公司授权不得商用。
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