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本发明提供了易于实现的用于限制惯性锤位移的精密控制结构的加速度传感器。其配备具有硅层（１００）、氧化硅层（２０）和硅层（３００）的三层结构ＳＯＩ衬底，通过从上面选择性地仅除去硅的感应耦合等离子体蚀刻，形成狭缝（Ｓ１）和（Ｓ２），接下来，从下...
该专利属于株式会社和广所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社和广授权不得商用。

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