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共振隧穿微机械力传感器及其制造方法，属于微机电系统和传感技术领域。为了增加隧穿间隙以降低制造和控制的难度、提高传感器灵敏度，本发明公开了一种共振隧穿微机械力传感器，主要结构由上、下两个硅片组成，上硅片下表面生长有隧穿阳极，下硅片上表面与隧穿...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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