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本发明提供了一种基于磁光效应的介质折射率传感器,磁性材料层置于基底上,金属微纳结构阵列置于磁性材料层上,金属微纳结构阵列为一维周期性排列的金属微纳结构,金属微纳结构为条形,金属微纳结构的截面为圆弧,圆弧与磁性材料层的表面相切。应用时,待测介...该专利属于中山科立特光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中山科立特光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种基于磁光效应的介质折射率传感器,磁性材料层置于基底上,金属微纳结构阵列置于磁性材料层上,金属微纳结构阵列为一维周期性排列的金属微纳结构,金属微纳结构为条形,金属微纳结构的截面为圆弧,圆弧与磁性材料层的表面相切。应用时,待测介...