一种基于磁光效应的介质折射率传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种基于磁光效应的介质折射率传感器，磁性材料层置于基底上，金属微纳结构阵列置于磁性材料层上，金属微纳结构阵列为一维周期性排列的金属微纳结构，金属微纳结构为条形，金属微纳结构的截面为圆弧，圆弧与磁性材料层的表面相切。应用时，待测介质置于磁性材料层表面，特别地，待测介质置于圆弧与磁性材料层表面之间的狭小空间。待测介质改变了金属微纳结构的局域电磁场与磁性材料层之间的相互作用，从而改变了磁光效应的强度，通过磁光效应强度的变化实现介质折射率探测。由于介质的折射率对金属微纳结构的局域电磁场与磁性材料层之间的作用影响非常严重，所以本发明专利技术具有介质折射率探测灵敏度高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于磁光效应的介质折射率传感器
本专利技术涉及折射率传感领域，具体涉及一种基于磁光效应的介质折射率传感器。
技术介绍
折射率是材料的重要光学物理量。传统的折射率测量方法有折射定律方法、光纤法、谐振腔法等。探索基于新原理的折射率探测方法，有利于进一步提高折射率探测的灵敏度。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种基于磁光效应的介质折射率传感器，包括：基底、磁性材料层、金属微纳结构阵列，磁性材料层置于基底上，金属微纳结构阵列置于磁性材料层上，金属微纳结构阵列为一维周期性排列的金属微纳结构，金属微纳结构为条形，金属微纳结构的截面为圆弧，圆弧与磁性材料层的表面相切。更进一步地，金属微纳结构的截面还包括矩形部。更进一步地，矩形部置于磁性材料层内、金属微纳结构的下侧。更进一步地，基底的材料为非磁性材料。更进一步地，基底的材料为二氧化硅。更进一步地，磁性材料层的材料为磁性介质。更进一步地，磁性介质为铋铁石榴石。更进一步地，金属微纳结构阵列的材料为贵金属。更进一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于磁光效应的介质折射率传感器，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、金属微纳结构阵列，所述磁性材料层置于所述基底上，所述金属微纳结构阵列置于所述磁性材料层上，所述金属微纳结构阵列为一维周期性排列的金属微纳结构，所述金属微纳结构为条形，所述金属微纳结构的截面为圆弧，所述圆弧与所述磁性材料层的表面相切。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于磁光效应的介质折射率传感器，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、金属微纳结构阵列，所述磁性材料层置于所述基底上，所述金属微纳结构阵列置于所述磁性材料层上，所述金属微纳结构阵列为一维周期性排列的金属微纳结构，所述金属微纳结构为条形，所述金属微纳结构的截面为圆弧，所述圆弧与所述磁性材料层的表面相切。


2.如权利要求1所述的基于磁光效应的介质折射率传感器，其特征在于：所述金属微纳结构的截面还包括矩形部。


3.如权利要求2所述的基于磁光效应的介质折射率传感器，其特征在于：所述矩形部置于磁性材料层内、所述金属微纳结构的下侧。


4.如权利要求1-3任一项所述的基于磁光效应的介质折射率传感器，其特征在于：所述基底的材料为非磁性材料。

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44