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本文公开了一种集成电路磁阻速度和方向传感器，包括其方法和系统。本文所示和说明的传感器一般使用ＡＭＲ（各向异性磁阻）电桥电路。和传统的基于霍尔效应元件的传感器相比，使用这种技术允许有增加的气隙性能。本文公开的ＡＭＲ传感器能够感测用一个或多个磁...
该专利属于霍尼韦尔国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过霍尼韦尔国际公司授权不得商用。

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