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本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺,这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤,各抛光步骤均使用同一种抛光布,不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液,依靠各抛光步骤之间以及各项工艺参数的匹配联调,实现...该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。
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本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺,这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤,各抛光步骤均使用同一种抛光布,不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液,依靠各抛光步骤之间以及各项工艺参数的匹配联调,实现...