在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺制造技术

本发明专利技术提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺参数的匹配联调，实现各抛光步骤应有的效果。通过这种方式抛光的晶片的总厚度变化可保持至≤2μm水平，平整度可保持至≤0.5μm的水平，有效提升了加工效率。

【技术实现步骤摘要】
在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
本专利技术涉及半导体硅材料加工技术，特别是涉及一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，是在单台抛光机上实现大尺寸硅片粗抛光、中抛光、精抛光的工艺方法。
技术介绍
硅基MEMS技术对于国防科技现代化的意义重大，已成为各军事强国优先发展的技术。硅基MEMS技术大体可分为两种技术路线，即表面微机械加工和体硅加工。体硅MEMS加工技术的主要特点是对硅衬底材料的深刻蚀，可得到较大纵向尺寸可动微结构。表面MEMS加工技术主要通过在硅片上生长氧化硅、氮化硅、多晶硅等多层薄膜来完成MEMS器件的制作。利用表面工艺得到的可动微结构的纵向尺寸较小，但与IC工艺的兼容性更好，易与电路实现单片集成。上述两种技术路线均要求硅材料具有高度平整、双面抛光的基本特点，其中高度平整是实现器件精度的基础，双面抛光则是为了适应双面光刻等工艺的需要。另外，随着军事需求的不断提高，MEMS器件正向着更小质量、更高精度和更低成本的方向发展，衬底硅材料也在向大尺寸方向不断发展，继而对大尺寸衬底硅材料“超薄、高平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，其特征在于，三步抛光为粗抛光、中抛光、精抛光，该三个步骤在同一台抛光机上加工，各抛光步骤均使用同一种抛光布；具体步骤如下：/n步骤一：选择抛光布，配制粗抛光液、中抛光液、精抛光液；/n粗抛光液：NP6504胶体溶液：双氧水：去离子水=（1～1.2）：（1±0.2）：（20±2）；/n中抛光液：SR330胶体溶液：双氧水：去离子水=（1～1.2）：（0.8±0.1）：（30±2）；/n精抛光液：NP8040胶体溶液：双氧水：去离子水=（1～1.2）：（0.3～0.4）：（20±2）；/n抛光布型号为SUBA800或SUBA600；/n步骤...

【技术特征摘要】
1.在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，其特征在于，三步抛光为粗抛光、中抛光、精抛光，该三个步骤在同一台抛光机上加工，各抛光步骤均使用同一种抛光布；具体步骤如下：
步骤一：选择抛光布，配制粗抛光液、中抛光液、精抛光液；
粗抛光液：NP6504胶体溶液：双氧水：去离子水=（1～1.2）：（1±0.2）：（20±2）；
中抛光液：SR330胶体溶液：双氧水：去离子水=（1～1.2）：（0.8±0.1）：（30±2）；
精抛光液：NP8040胶体溶液：双氧水：去离子水=（1～1.2）：（0.3～0.4）：（20±2）；
抛光布型号为SUBA800或SUBA600；
步骤二：硅片装载，将游星轮摆放至抛光机上，将硅片装载在游星轮的孔内，将抛光布紧贴在抛光机上下盘上；
步骤三：粗抛光，设置粗抛光各项参数；
使用粗抛光液，抛光液流量流量为1.8～2.0L/min，压力为4.0～4.5psi，转速为12～20RPM，设定首次抛光时间10～20min；
打开抛光液泵开关，将抛光头降到底盘上，按下开始按钮，开始粗抛光程序，粗抛光结束后，按下停止按钮，关闭抛光液泵开关；
步骤四：水抛；
打开去离子水开关，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晨，杨洪星，索开南，李聪，庞炳远，杨静，王雄龙，张伟才，赵权，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12