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本发明公开的一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，包括材料为n型SiC的衬底，衬底一面依次外延有缓冲层、漂移区、沟道扩展区，沟道扩展区上开设多个剖面呈矩形的阳极沟槽，每个阳极沟槽侧壁和底端均外延p+结区，沟道扩展区上最高面外延p型接触区，...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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