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一种在内存中实现带有正负数乘加的SRAM电路制造技术
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下载一种在内存中实现带有正负数乘加的SRAM电路的技术资料
文档序号:26222276
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本发明公开了一种在内存中实现带有正负数乘加的SRAM电路,通过将多个乘数存入一列单元中,多个被乘数通过SRAM的字线WL输入,与单元内的相应的乘数进行乘法运算,再将每组乘得的结果累加在位线上,可直接通过位线电压得出乘加的结果。另外添加了一列...
该专利属于安徽大学所有,仅供学习研究参考,未经过安徽大学授权不得商用。
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