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公开了一种可控硅型静电放电器件及集成电路,该可控硅型静电放电器件以传统LDMOS‑SCR器件为基础,将漏端的N阱区拆分为与该N阱区中的第二P掺杂区和第二N掺杂区相匹配的第一N阱区和第二N阱区,提高了N阱区的寄生电阻,使其在ESD放电电流下的...该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。
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公开了一种可控硅型静电放电器件及集成电路,该可控硅型静电放电器件以传统LDMOS‑SCR器件为基础,将漏端的N阱区拆分为与该N阱区中的第二P掺杂区和第二N掺杂区相匹配的第一N阱区和第二N阱区,提高了N阱区的寄生电阻,使其在ESD放电电流下的...