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本发明提供一种抗双节点翻转的锁存器，包括四个由堆叠的三个PMOS和一个NMOS晶体管或三个NMOS和一个PMOS晶体管组成的互锁分支电路，用于生成每个互锁分支电路的控制信号的两个双输入穆勒单元和一个防止软错误从存储单元传播的三输入穆勒单元，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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