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本公开涉及一种三维电容制备方法，属于半导体技术领域，其所制备的三维电容的占用面积小，能够极大地提高芯片上面积利用率。一种三维电容制备方法，包括：在衬底中形成通孔；在所述通孔的内壁和所述衬底的表面上形成图形化的第一电极层，所述第一电极层包括由...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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