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本发明公开一种InGaN图形衬底模板及其制备方法和在红光Micro‑LED芯片中的应用。该图形衬底模板依次包括衬底、GaN层、模板层、GaN六棱锥阵列和InGaN六棱台阵列；其中：所述模板层内部有贯穿模板层的GaN圆台或六棱台阵列；所述Ga...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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