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本发明公开了一种具有埋层结构的新型低阈值JLFET器件及其制备方法，JLFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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