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本发明涉及一种半导体装置及其制造方法；其中半导体装置，包括：半导体器件层，其包括一个或多个半导体器件；第一电极互联层，其设置于所述半导体器件层的第一侧；一个或多个第一金属柱，其设置于所述半导体器件层的第一侧，并与所述第一电极互联层电连接；第...
该专利属于广东致能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。

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