一种半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法；其中半导体装置，包括：半导体器件层，其包括一个或多个半导体器件；第一电极互联层，其设置于所述半导体器件层的第一侧；一个或多个第一金属柱，其设置于所述半导体器件层的第一侧，并与所述第一电极互联层电连接；第一绝缘材料，其设置于所述一个或多个第一金属柱周围，其中所述第一绝缘材料为可注塑材料；以及第二电极互联层，其设置于与所述半导体器件层的所述第一侧相对的第二侧。本发明专利技术的技术方案中，不需要临时衬底也实现较好的支撑强度并完成半导体制程的相关工艺，方便快捷，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体
，特别地涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
III族氮化物半导体是重要的半导体材料，主要包括AlN、GaN、InN及这些材料的化合物如AlGaN、InGaN、AlInGaN等。由于具有直接带隙、宽禁带、高击穿电场强度等优点，以GaN为代表的III族氮化物半导体在发光器件、电力电子、射频器件等领域具有广阔的应用前景。与传统的Si等非极性半导体材料不同，III族氮化物半导体具有极性，即是极性半导体材料。极性半导体具有许多独特的特性。尤为重要的是，在极性半导体的表面或两种不同的极性半导体界面处存在固定极化电荷。这些固定极化电荷的存在可吸引可移动的电子或空穴载流子，从而形成二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG。这些二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG的产生不需要附加电场，也不依赖于半导体内的掺杂效应，是自发产生的。极性半导体界面处的二维电子气或二维空穴气可以具有较高的面电荷密度。同时，由于不需要掺杂，二维电子气或二维空穴气受到的离子散射等作用也大大减少，因此具有较高的迁移率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n半导体器件层，其包括一个或多个半导体器件；/n第一电极互联层，其设置于所述半导体器件层的第一侧；/n一个或多个第一金属柱，其设置于所述半导体器件层的第一侧，并与所述第一电极互联层电连接；/n第一绝缘材料，其设置于所述一个或多个第一金属柱周围，其中所述第一绝缘材料为可注塑材料；以及/n第二电极互联层，其设置于与所述半导体器件层第一侧相对的第二侧。/n

【技术特征摘要】
20190412 CN 2019102916246;20200117 CN 2020100560451.一种半导体装置，包括：
半导体器件层，其包括一个或多个半导体器件；
第一电极互联层，其设置于所述半导体器件层的第一侧；
一个或多个第一金属柱，其设置于所述半导体器件层的第一侧，并与所述第一电极互联层电连接；
第一绝缘材料，其设置于所述一个或多个第一金属柱周围，其中所述第一绝缘材料为可注塑材料；以及
第二电极互联层，其设置于与所述半导体器件层第一侧相对的第二侧。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体器件层中的一个或多个半导体器件包括：肖特基二极管、HEMT、和HHMT中的一者或多者。


3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述半导体器件层中的一个或多个半导体器件具有垂直沟道。


4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二电极互联层与所述半导体器件层第二侧的第二电极电连接。


5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一金属柱为铜柱。


6.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一金属柱的高度为大于60微米，大于80微米，或者大于100微米。


7.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘材料经注塑分布于所述一个或多个金属柱周围。


8.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘材料为有机材料。


9.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘材料为环氧树脂EP、聚苯乙烯PS、ABS、聚碳酸酯PC、高密度聚乙烯HDPE、聚丙烯PP、和聚氯乙烯PVC中的一种或多种。


10.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括一个或多个第二金属柱，其设置于所述半导体器件层的第二侧，并与所述第二电极互联层电连接；第二绝缘材料，其设置于所述一个或多个第二金属柱周围，其中所述第二绝缘材料为可注塑材料。


11.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
第三电极互联层，其设置于所述半导体器件层的第一侧；以及
一个或多个第三金属柱，其设置于所述半导体器件层的第一侧，并与所述第三电极互联层电连接；其中，所述第一绝缘材料经配置也可以分布于所述一个或多个第三金属柱周围。


12.一种半导体器件，其从如权利要求1-11任一所述的半导体装置切割而获得。


13.一种半导体器件，其从如权利要求1-11任一所述的半导体装置切割和...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎子兰，
申请(专利权)人：广东致能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44