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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底、一栅极结构位于该基底上、一栅极介电层位于该基底以及该栅极结构之间。该栅极结构包含一第一侧壁以及相对于该第一侧壁的一第二侧壁。一第一绝缘层位于该第一侧壁以及该栅极介电层上，该第...
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