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谐振隧穿器件和使用其检测物理特性的方法。一种谐振隧穿器件包括：第一二维半导体层，包括第一二维半导体材料；在第一二维半导体层上的第一绝缘层；以及第二二维半导体层，在第一绝缘层上并且包括与第一二维半导体材料相同种类的第二二维半导体材料。...
该专利属于三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团授权不得商用。

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