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本公开提供半导体装置结构及其形成方法，半导体装置结构包含基底和位于基底之上的介电鳍结构。半导体装置结构还包含相邻介电鳍结构的半导体鳍结构。半导体装置结构还包含横跨介电鳍结构和半导体鳍结构的金属栅极堆叠。半导体装置结构还包含位于半导体鳍结构之...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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