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本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供包括原胞区和非原胞区的半导体衬底；在非原胞区上形成第一场氧和第二场氧，且两者之间具有间隙，在两个场氧及间隙上形成半导体层；对原胞区进行阱注入形成阱区；在原胞区内形成工作结构，在非原胞区上形成保护...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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