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本发明提供半导体器件及其形成方法，包括提供衬底，在衬底上交替形成牺牲层和衬层；刻蚀衬层以及牺牲层，暴露出衬底，在衬底上形成若干鳍部；形成横跨鳍部的第一伪栅结构和第二伪栅结构；第一伪栅结构的宽度大于第二伪栅结构的宽度；分别在第一伪栅结构和第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。