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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供第一鳍部以及第一鳍部之间的第一凹槽、第二鳍部以及第二鳍部之间的第二凹槽，第二凹槽底面高于第一凹槽底面；在衬底上形成覆盖第一鳍部部分侧壁的第一隔离层，且第一隔离层的顶面低于第二凹槽的底面；对第一隔...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。